990 PRO PCIe 4.0 NVMe M.2 固態硬碟

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990 PRO PCIe 4.0 NVMe M.2 固態硬碟
4 TB

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功能特色

極致效能固態硬碟

充分發揮 PCIe® 4.0 性能。持久體驗高級性能。三星自研控制器的智慧溫控可提高電源效率，同時保持強勁的速度和性能，提升您的遊戲體驗感。

* 截至 2022 年第三季，PCIe 4.0 的最高連續讀取速度為 8,000 MB/s 理論值 ，990 PRO 連續讀取速度最高可達到 7,450 MB/s。

PCIe 4.0 速度大幅提升

巨大的速度提升。 隨機讀取速度高達 1400K/1550K IOPS，比 980 PRO 2TB 快 40% 和 55%。4TB 版本隨機讀取速度高達 1600K IOPS。990 PRO 固態硬碟連續讀取速度高達 7,450/6,900 MB/s，接近 PCIe® 4.0 的理論數值。在遊戲、影片和 3D 編輯、數據分析等領域，都能大展拳腳。

* 連續和隨機寫入性能在啟用 Intelligent Turbo Write 技術的情況下測量。Intelligent Turbo Write 僅在特定的數據傳輸大小內運行。性能可能會因 SSD 的韌體、系統硬體和配置以及其他因素而異。
* 測試系統配置：AMD Ryzen 7 5800X 8 核處理器 CPU@3.80GHz， DDR4 3600MHz 16GBx2 ( PC4-25600超頻 ) ， OS - Windows 10 Pro 64 位元，晶元組 - ASRock-X570 Taich
* 為了最大限度發揮 990 PRO 的性能，請在 Intel 或 AMD 網站上查看您的系統是否支援 PCIe® 4.0。

優化的電源效率

高效的性能。性能的提高通常會消耗更多的電量。但是 990 PRO 的耗電量較少，每瓦的性能比 980 PRO 高出 50%。 這種低功耗的設計具有超棒的電源效率，可充分發揮 PCIe® 4.0 的性能。

* 依據 1TB 的內部測試結果顯示，980 PRO 連續讀寫 -1, 129/877 MB/W，990 PRO 連續讀寫 -1,380/1,319 MB/W。

智慧散熱解決方案

高效散熱。 鍍鎳塗層控制器和熱控制演算法可動態管理散熱效率以提供持久而可靠的性能。同時散熱標籤可有效維持運行 NAND 晶元溫度，通過「動態散熱保護」(Dynamic Thermal Guard) 技術保持最佳工作溫度。

專為遊戲而生

優化遊戲體驗。 散熱器的隨機性能提升超過 55%，使得在 PS5 和支援 DirectStorage (顯存優化) 的 PC 遊戲上，實現遊戲真實感。

* 利用 NVMe™ SSD 的高速進行更快的遊戲載入，速度高達數 GB/s。
* 結果來源於與三星 980 PRO 的比較。

三星管理魔術師

解鎖 990 PRO 的全部功能。人性化設計的優化工具套件始終為你提供優化的 SSD 性能。可支援但不限於：保護數據、獲取更新、監控驅動器運行狀況等。你的私人 SSD 工具組。

* LED 顏色顯示在觀看視角和/或環境因素的影響下可能會與顏色設置有所不同。

* LED 顏色顯示在觀看視角和/或環境因素的影響下可能會與顏色設置有所不同。

快閃記憶體的首選

2003 年起的世界領導品牌讓您體驗卓越的效能和可靠性。所有韌體與組件，包含三星享譽全球的 DRAM 和 NAND，皆為內部生產，提升端對端整合能帶給您信賴的質量。

* 來源：2003-2021 IHS Market 數據：NAND 供應商的收入市場佔有率。

* 來源：2003-2021 IHS Market 數據：NAND 供應商的收入市場佔有率。

產品規格

  • 介面

    PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0

  • 連續讀取速度

    最高 7,450 MB/s
    * 效能可能因系統硬體配置而異

  • 連續寫入速度

    最高 6,900 MB/s
    * 效能可能因系統硬體配置而異

  • 應用

    個人電腦、遊戲主機

  • 重量

    約 9.0g

  • 實體規格 ( 寬 X 長 X 高 )

    80 x 22 x 2.3 mm

  • 應用

    個人電腦、遊戲主機

  • 容量

    4,000GB ( 1GB=1 Billion byte by IDEMA )
    * 一部分容量用於系統文件和維護用途，實際容量可能與產品標示不同。

  • 外型設計

    M.2 (2280)

  • 介面

    PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0

  • 實體規格 ( 寬 X 長 X 高 )

    80 x 22 x 2.3 mm

  • 重量

    約 9.0g

  • Storage Memory

    Samsung V-NAND TLC

  • 控制晶片

    三星內部控制器

  • 快取記憶體

    Samsung 4GB Low Power DDR4 SDRAM

  • TRIM Support

    TRIM 支援

  • S.M.A.R.T Support

    S.M.A.R.T 支援

  • 垃圾回收

    垃圾自動回收演算法

  • 資料加密

    AES 256位元加密 ( Class 0 ) TCG / Opal IEEE1667 ( 加密驅動器 )

  • 全球通用名稱 (World Wide Name)

    不支援

  • 睡眠模式

    有

  • 連續讀取速度

    最高 7,450 MB/s
    * 效能可能因系統硬體配置而異

  • 連續寫入速度

    最高 6,900 MB/s
    * 效能可能因系統硬體配置而異

  • 隨機讀取速度 (4KB, QD32)

    最高 1,600,000 IOPS
    * 效能可能因系統硬體配置而異

  • 隨機寫入速度 (4KB, QD32)

    最高 1,550,000 IOPS
    * 效能可能因系統硬體配置而異

  • 隨機讀取速度 (4KB, QD1)

    最高 22,000 IOP
    * 效能可能因系統硬體配置而異

  • 隨機寫入速度 (4KB, QD1)

    最高 80,000 IOPS
    * 效能可能因系統硬體配置而異

  • 平均功率消耗

    * 平均: 6.5 W * 最高: 8.6 W (突發模式)
    * 實際功率消耗可能因系統硬體配置而異

  • 功率消耗 (閒置模式)

    最大 55 mW
    * 實際功率消耗可能因系統硬體配置而異

  • 允許電壓

    3.3 V ± 5 %

  • 可靠性 (MTBF)

    1.5 百萬小時
    * MTBF：平均故障間隔 ( 平均連續無故障時間 )

  • 作業溫度

    0 - 70 ℃

  • 抗震

    1,500 G & 0.5 ms ( Half sine )

  • 管理軟體

    管理魔術師軟體

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*本網站的產品圖片以及型號、數據、功能、性能、規格參數等僅供參考，三星有可能對上述內容進行修改，具體訊息請參照產品實物、產品說明書。除非經特殊說明，本網站中所涉及的數據均為三星內部測試結果，所涉及的對比，均為與三星傳統產品相比較。