970 EVO NVMe M.2 固態硬碟 500GB

MZ-V7E500BW

選擇儲存容量

970 EVO NVMe M.2 固態硬碟 500GB
500 GB

功能特色

不斷精進的 SSD

三星 970 EVO 提供比前一代產品更突破性的數據傳輸速度並擁有一流的可靠性能以及最高達2TB*的多種容量選擇。使用最先進的 V-NAND 技術、新的增强型 Phoenix 控制器以及智能 TurboWrite 技術,有效提升且強化了高效能游戲和 4K 及 3D 圖形编辑性能,不論工作或遊戲都能遊刃有餘。

不斷精進的 SSD 不斷精進的 SSD

* IDEMA的1GB = 1,000,000,000 字元。系統文件和維護會使用一部份的容量,因此實際容量可能與產品標籤上指示的容量有所不同
*前一代是指的 960 EVO系列產品

更高更快的速度

感受 NVMe 的差異。970 EVO 採用新的增强型 Phoenix 控制器和智能 TurboWrite 技術,有助於充分享受高效能游戲體驗,並進一步簡化了圖形密集型工作流程處理。970 EVO 系列並提供了令人驚嘆的3,500 / 2,500 MB/s* 的連續讀取/寫入速度,寫入速度比前一代高出32%。

更高更快的速度 更高更快的速度

* SSD的最基礎效能取決於韌體版本跟硬體配置而異。 效能測試是基於 IOmeter 1.1.0 。 順序寫入效能是基於智能TurboWrite技術測試的。
* 測試系統配置:Intel Core i7-7700K CPU @4.2GHz, DDR4 2400MHz 32GB,OS: Windows 10 Built 10240,晶片:華碩 PRIME Z270-A。
* 智能TurboWrite 缓衝區耗盡後,連續寫入效能為:300 MB/s (250GB), 600 MB/s (500GB), 1,200 MB/s (1TB) and 1,250 MB/s (2TB)。有關TurboWrite的更多訊息,請上www.samsungssd.com 網站。

更靈活性的設計

NVMe SSD 效能再進一步的提升。970 EVO M.2 (2280) 規格可搭载高達2TB的容量,極大地擴展了儲存容量並節省了其他組件的空間 。三星的創新技術可讓您有能力做得更多,助您取得更高的成就。

更靈活性的設計 更靈活性的設計

穩定耐用
超强續航

更勝一籌的優越效能源於更持久、穩定的數据讀取體驗。高達 1,200 TBW* 的5年有限保固,比前一代高出50%。 970 EVO 憑藉著最新的 V-NAND 技術,三星的品質保證和卓越的續航能力,讓您使用更加安心無憂。

* 寫入位元組總數 (單位: TB)
* 970 EVO 的 TBW 有限保固:250GB 為150 TBW,500GB 為300 TBW,1TB 為600 TBW,2TB 為1,200 TBW。
* 5年或TBW 有限保固,以先到期者為準。有關詳細的保固訊息,請參見裝內所附的保固聲明文件。

穩定耐用 超強續航 穩定耐用 超強續航

* 寫入位元組總數 (單位: TB)
* 970 EVO 的 TBW 有限保固:250GB 為150 TBW,500GB 為300 TBW,1TB 為600 TBW,2TB 為1,200 TBW。
* 5年或TBW 有限保固,以先到期者為準。有關詳細的保固訊息,請參見裝內所附的保固聲明文件。

無與倫比的卓越可靠性能

970 EVO 是值得信賴的固態硬碟。三星在 970 EVO 採用先進的鍍鎳控制器和散熱器,擁有最卓越的散热性能。970 EVO 應用 動態散熱防護 (Dynamic Thermal Guard) 技術可自動監控並保持最佳工作溫度,以最大限度地保障最佳的持久性能。

無與倫比的卓越可靠性能 無與倫比的卓越可靠性能

三星管理魔術師

先進的驅動程式讓管理變得簡單。三星管理魔術師透過簡單直接的界面來幫助您保持驅動程式的最新狀態、監控驅動器運行狀況和速度,進一步提升硬碟性能,讓固態硬碟管理更加簡捷有效。

三星管理魔術師 三星管理魔術師

產品規格

  • 應用

    個人電腦

  • 容量

    500GB

  • 連續讀取速度

    最高 3,400 MB/s *效能可能因系統硬體配置而異

  • 保固

    五年或300TBW 有限保固

  • 應用

    個人電腦

  • 容量

    500GB

  • 類型

    M.2 (2280)

  • 介面

    PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.3

  • 實體規格 ( 寬 X 長 X 高 )

    80.15 x 22.15 x 2.38 (mm)

  • 重量

    8.0 g

  • Storage Memory

    Samsung V-NAND 3-bit MLC

  • 控制晶片

    Samsung Phoenix

  • 快取記憶體

    Samsung 512MB Low Power DDR4 SDRAM

  • TRIM Support

    TRIM 支援

  • S.M.A.R.T Support

    S.M.A.R.T 支援

  • 垃圾回收

    垃圾自動回收演算法

  • 資料加密

    AES 256位元加密 (Class 0) TCG/Opal IEEE1667 (加密驅動器)

  • 睡眠模式

  • 連續讀取速度

    最高 3,400 MB/s *效能可能因系統硬體配置而異

  • 連續寫入速度

    最高 2,300 MB/s *效能可能因系統硬體配置而異

  • 隨機讀取速度 (4KB, QD32)

    最高 370,000 IOPS *效能可能因系統硬體配置而異 *IOPS:每秒讀寫次數

  • 隨機寫入速度 (4KB, QD32)

    最高 450,000 IOPS *效能可能因系統硬體配置而異 *IOPS:每秒讀寫次數

  • 隨機讀取速度 (4KB, QD1)

    最高 15,000 IOPS *效能可能因系統硬體配置而異 *IOPS:每秒讀寫次數

  • 隨機寫入速度 (4KB, QD1)

    最高 50,000 IOPS *效能可能因系統硬體配置而異 *IOPS:每秒讀寫次數

  • 平均功率消耗

    平均: 5.7 W 最大: 10 W (突發模式)

  • 功率消耗 (閒置模式)

    最大: 30 mW

  • 允許電壓

    3.3 V ± 5 %

  • 可靠性 (MTBF)

    150 萬小時 *MTBF: 平均故障間隔 (平均連續無故障時間)

  • 作業溫度

    0 - 70 ℃

  • 抗震

    1,500 G & 0.5 ms (半正弦波)

  • 管理軟體

    管理魔術師軟體

  • 五年或300TBW 有限保固

最近瀏覽

*本網站的產品圖片以及型號、數據、功能、性能、規格參數等僅供參考,三星有可能對上述內容進行修改,具體訊息請參照產品實物、產品說明書。除非經特殊說明,本網站中所涉及的數據均為三星內部測試結果,所涉及的對比,均為與三星傳統產品相比較。