À propos

Rendre la vie plus belle grâce à des solutions de mémoire de pointe et éco-responsables dotées des meilleures performances de leur catégorie

Nous sommes à la tête du marché mondial de la mémoire depuis 1993 et avons développé des produits exceptionnels en prévision des demandes futures, ce qui a contribué à la croissance du marché mondial de l’informatique.

En 2019, nous avons conçu la première mémoire DRAM de troisième génération 10 nm et la V-NAND de sixième génération avec une conception à pile unique comptant plus de 100 couches, dépassant ainsi les limites des technologies de mémoire antérieures.

Cette année, nous avons commencé à fournir les solutions de mémoire les plus performantes du secteur (HBM2E 16 Go), qui sont en mesure d’améliorer drastiquement les performances des superordinateurs et systèmes analytiques d’IA. Nous étions également les premiers du secteur à lancer la fabrication en série de la DRAM mobile la plus rapide et dotée de la meilleure capacité (LPDDR5 16 Go), optimisée pour les smartphones à la pointe du secteur en ultra haute résolution et doté d’écrans larges, ainsi que d’une mémoire mobile (eUFS 3.1 512 Go) dotée d’une vitesse d’écriture triplée par rapport à la version précédente, la mémoire eUFS 3.0 512 Go. De plus, nous élargissons continuellement le marché de la mémoire haut de gamme avec des produits tels que le SSD NVMe 30,72 To, qui introduit une nouvelle norme en matière d’innovations logicielles pour SSD, la deuxième génération de Z-SSD 3,84 To pour la nouvelle génération de systèmes de superordinateurs, ainsi que le SSD 4 bits/seconde qui fait évoluer le marché du SSD 3 bits/seconde avec des performances et une fiabilité renforcées.

Le marché des mémoires à semi-conducteur devrait évoluer rapidement avec le lancement d’interfaces de nouvelle génération. En développant des conceptions et des technologies de processus avancées de manière anticipée, nous continuerons à renforcer notre leadership sur le marché mondial de la mémoire.